时间: 2024-03-16 16:55:49 | 作者: 履带加热器
记者从中国科学技术大学得悉，该校郭光灿院士团队孙方稳课题组和国家同步辐射试验室/核科学技术学院邹崇文课题组协作，制备了根据二氧化钒（VO2）相变薄膜的类脑神经元器材，并使用金刚石中氮-空位（NV）色心作为固态自旋量子传感器勘探了神经元突触在外部影响下的动态衔接，展现了类脑神经体系中多通道信号传递和处理进程。这项研讨成果近来在世界学术期刊《科学发展》（Science Advances）宣布。
类脑神经元器材，即一般所说的类脑芯片，是指使用神经形状器材去模仿人脑中的神经元、突触等基本功用，再进一步将这些神经形状器材联合成人工神经网络，以模仿“大脑”的信息处理和存储等杂乱功用。
二氧化钒（VO2）作为典型的氧化物量子资料，在近室温邻近具有可逆的绝缘-金属相变，是制备高开关比突触器材的抱负资料。本研讨中，课题组研讨人员根据近十年二氧化钒的研讨根底，使用氧化物分子束外延设备克服了高纯相结构的单晶二氧化钒薄膜的制备瓶颈，然后直接模仿了神经元之间的突触动态衔接进程。
此外，关于神经元突触单元之间的动态衔接进程，试验人员立异性使用金刚石中氮-空位色心进行量子传感成像，明晰提醒了根据二氧化钒类脑神经体系中多通道信号处理和传导途径与外在影响之间的相关，为构筑大规模人工突触分层安排和神经形状结构供给了直接的试验根据。
记者从中国科学技术大学得悉，该校郭光灿院士团队孙方稳课题组和国家同步辐射试验室/核科学技术学院邹崇文课题组协作，制备了根据二氧化钒（VO2）相变薄膜的类脑神经元器材，并使用金刚石中氮-空位（NV）色心作为固态自旋量子传感器勘探了神经元突触在外部影响下的动态衔接，展现了类脑神经体系中多通道信号传递和处理进程。这项研讨成果近来在世界学术期刊《科学发展》（ScienceAdvances）宣布。
