时间: 2024-01-20 01:39:41 | 作者: 云母加热器
除了投资“芯片之母”EDA企业，企查查工商资料显示，华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司，后者注册资本也从9027万元增加到9770万元，增幅8%。
据悉，东莞市天域半导体成立于2009年，位于松山湖高新技术产业园区，是我国首家专门干第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。
2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”，目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生产技术达到国际先进水平。
至于深圳哈勃科技，华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%，今年4月刚刚成立。
所谓第三代半导体，主要是二十一世纪以来以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料，即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅（Si）、锗元素（Ge），第二代主要是化合物半导体材料。
本文的关键要点 ・如果将延长电缆与DUT引脚焊接并连接电压探头做测量，在开关速度较快时，观察到的波形会发生明显变化。 ・受测量时所装的延长电缆的影响，观察到的波形会与真正的原始波形完全不同。 ・在观测波形时，需要时刻注意仔细观察到的波形是否是真正的原始波形。 SiC MOSFET具有非常出色的开关特性，但由于其开关过程中电压和电流变化非常大，因此如Tech Web基础知识 SiC功率元器件“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作-前言”中介绍的需要准确测量栅极和源极之间产生的浪涌。在这里，将为大家介绍在测量栅极和源极之间的电压时必须要格外注意的事项。我们将以SiC MOSFET为例进行讲解，其实所讲解的内容也适用于一般的MOS
MOSFET栅-源电压测量方法 /
中国首次实现碳化硅大功率器件的批量生产，在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内有经验的人指出，这一突破有望缓解中国的能源危机。 据中新网报道，泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化硅肖特基二极管产品鉴定会暨新产品信息发布会20日在北京举行。鉴定委员会认为该公司的量产工艺方法、产品性能达到了国际同种类型的产品的领先水平。 据悉，经过两年攻关，泰科天润研发的碳化硅肖特基二极管多个产品已成功量产，产品涵盖600V—3300V等中高压范围。其中，600V/10A、1200V/20A等产品成品率达到国际领先水平。 国家863计划新材料技术领域和科技支撑计划能源领域在2014年度备选项目征集指南中指明
特斯拉一句话，直接带“崩”了碳化硅板块。 3月2日，在特斯拉投资者大会上，特斯拉方面表示，下一代平台将减少75%的碳化硅用量。当天，相关概念股应声大跌。 近两年大火的碳化硅，如今真的要被断了活路？ 特斯拉为降成本向碳化硅“动刀” 特斯拉减少碳化硅用量，主要用意是减少相关成本。 在特斯拉投资者大会上，特斯拉透露，到2022年，Model 3每辆车的成本已经降低30%，但“下一代汽车平台”有望再降低50%的成本，这在某种程度上预示着下一代平台汽车的总拥有成本也将低于其目前的所有车型。 图片来自：特斯拉 具体实现途径上，特斯拉表示，将为下一代汽车重新设计控制器，彻底消灭所有的交叉线束，以降低电子设备的复杂性和成本；另外
」活路？ /
1月10日，新加坡科学、技术和研究机构（A*STAR）的微电子研究所（IME）和法国半导体材料公司Soitec宣布开展研究合作，开发下一代碳化硅（SiC）半导体器件，为 电动汽车 和先进高压电子设备提供动力。双方将利用Soitec的专有技术，如Smart Cut™和IME的试验生产线 mm的SiC半导体基板。 （图片来自：Soitec） 此次联合研究将有利于开发一个整体的SiCECO，并提高新加坡和巴黎的半导体制造能力。该研究合作计划于2024年年中完成，旨在实现： 开发用于Smart Cut™ SiC基板SiC外延和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）制造工艺，以生产更高质量的微芯片晶
据外媒报道，意法半导体公司（STMicroelectronics）推出第三代STPOWER碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET），在 电动汽车 动力系统，以及其他对功率密度、能源效率和可靠性要求严格的应用中，可用于控制功率。作为SiC功率MOSFET的市场领导者，意法半导体结合领先的新设计技术，以进一步挖掘SiC的节能潜力。 （图片来自：意法半导体公司） 随着电动汽车市场迅猛发展，汽车制造商和供应商纷纷采用800V驱动系统，以加快充电速度，并减轻重量，生产续航更长的汽车。ST的新型SiC器件专门针对这些高端汽车应用来优化，包括EV牵引逆变器（traction inverter）、车载充电器、DC/DC转换器以及电子
功率器件 标称标称电压从650V、750V到1200V /
器件生产线日，北京市高精尖项目——6英寸碳化硅器件生产线在北京世纪金光半导体有限公司成功通线。这是一条具有国际领先水平的产业化生产线，该产线的建成是我国首次实现碳化硅全产业链贯通，从产业链源头实现自主可控。 国家工业与信息化部电子信息司、北京市发展和改革委员会、北京市经济和信息化委员会、北京经济技术开发区、国家集成电路产业投资基金的有关领导，航空航天、北汽新能源等用户单位，以及科技界、金融界和行业协会等近百家单位出席了活动。 制造业是国民经济的主体，是立国之本、兴国之器、强国之基。党的十八大以来，通过深入实施创新驱动发展的策略，厚植社会创新沃土，在国家“核高基”科技重大专项引领和支持下，在北京市高精尖产业政策的重点扶持下
近年来，在国家“双碳”战略指引下，汽车行业油电切换提速，截至2022年新能源汽车渗透率已超越25%。汽车电动化浪潮中，半导体增量大多数来源于于功率半导体，根据 Strategy Analytics，功率半导体在汽车半导体中的占比从传统燃油车的21%提升至纯电动车的55%，跃升为占比最大的半导体器件。 同其他车用电子零部件一样，车规级功率半导体也须通过AEC-Q100认证规范所涵盖的7大类别41项测试要求。对于传统的硅基半导体器件，业界已经建立了一套成熟有效的测试评估流程。而对于近两年被普遍应用于开发800V超充技术的三代半导体碳化硅（SiC）材料而言，由于其面世时间比较短，缺陷暴露不充分，失效机理不清晰，对其进行科学有效的评估和验
性能评估整体测试解决方案 /
2011年 10月11日，北京讯—碳化硅功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比，科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性，并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D-Pak表面贴装封装，提供额定电流分别为2A，5A，8A 和 10A的表面贴装器件。科锐公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面贴装封装的可应用于全范围额定电流的商用1200V碳化硅肖特基二极管制造商。如太阳能微型逆变器等系统模块设计人员现在能拥有更多的选择来研发出更小、更轻以及成本更低的电源转换电路。新型
术语
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